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        中國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

        時間:2022-07-06 14:47:17來源:中國科技網

        導語:?SiC單晶是第三代半導體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料,具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。

               6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內,100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。

          中國電科二所第一事業部主任李斌說:“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪,正好咱們自己能生產了。”

          SiC單晶是第三代半導體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料,具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。

          中國電科二所第一事業部主任李斌說:“高純SiC粉料是SiC單晶生長的關鍵原材料,單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設備,要想生長出高質量的SiC單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。”

          據介紹,單晶生長爐需要達到高溫、高真空、高潔凈度的要求,目前國內只有兩家能生產單晶生長爐,中國電科二所是其中之一。他們突破了大直徑SiC生長的溫場設計,實現可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產;他們還突破了高純SiC粉料中的雜質控制技術、粒度控制技術、晶型控制技術等關鍵技術,實現了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產。

        標簽: 半導體

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