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雷軍:小米自研澎湃芯片又有重要進展

時間:2022-07-05

來源:21ic

導語:具體來說,澎湃P1作為業界首個諧振充電芯片,擁有自適應開關頻率的4:1超高效率架構,諧振拓撲效率高達97.5%,非諧振拓撲效率為96.8%,熱損耗直線下降 30% 。

       今天,小米創辦人、小米集團董事長兼CEO雷軍提到了小米自研澎湃芯片。雷軍表示,澎湃芯片家族一直在堅定持續地往前走,這次又有了新進展,很快會向大家匯報。

  自從澎湃芯片誕生以來,這個系列先后發布了澎湃S1、澎湃C1、澎湃P1等多款芯片,其中S1是手機處理器,C1是影像芯片,P1是充電芯片。

  其中P1由小米12 Pro首發搭載,雷軍稱“P1填補了行業空白”。

  具體來說,澎湃P1作為業界首個諧振充電芯片,擁有自適應開關頻率的4:1超高效率架構,諧振拓撲效率高達97.5%,非諧振拓撲效率為96.8%,熱損耗直線下降 30% 。

  同時,澎湃P1也是小米充電效率最高的4:1充電芯片,可做到0.83W/mm2超高功率密度,LDMOS也達到業界領先超低1.18mΩmm2 RSP。

  在P1的助力下,小米12 Pro實現了單電芯120W超級秒充。相比之前小米10至尊版上的120W快充,小米12 Pro的單電芯120W秒充方案速度更快、更節省內部空間。

  這次小米即將帶來小米12 Pro的升級版,名為小米12S Pro,該機支持120W有線閃充,預計同樣會用到澎湃P1芯片,新品會在7月4日登場。

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